性别

男

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zhangrengang@wust.edu.cn

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6163银河线路检测中心（黄家湖校区）6163银河线路检测中心应用物理系

学术兼职

Journal of alloys and compounds、Optical and Quantum Electronics等期刊审稿人

一级学科

物理学

二级学科

凝聚态物理

研究方向

1.半导体材料制备、性能与应用；2.半导体材料微观结构与计算。

个人简历

（个人求学、进修、工作经历）

2005.10–至今, 6163银河线路检测中心, 任职

2002.09–2005.06, 中国科学院高能物理研究所, 凝聚态物理, 博士

1999.09–2002.06, 武汉理工大学, 材料物理与化学, 硕士

1997.07–1999.08, 武汉无机盐化工厂, 工作

1993.09–1997.06, 江汉大学, 化学工程, 学士

主要著作

参编《材料物理实验》教程，2012年

主要科研项目

1. 主持国家自然科学基金面上项目：ZnS1-xSex基多层薄膜可控制备及其微观结构的正电子湮没谱学研究（11975173），2020.1-2023.12

2. 参与湖北时力模具材料有限公司理科横向项目：变温高温合金的开发， 2019.5-2024.5

3. 参与国家自然科学基金青年项目：硫化锌薄膜硫化法制备及其微观缺陷的正电子湮没谱学研究（11705212），2018.1-2020.12

4. 主持冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放课题项目：透明ZnS:Al薄膜结构和光电性能（Y201713），2018.1-2019.12

5. 主持湖北省教育厅科研计划项目：原位硫化生长ZnS纳米薄膜的物理性质（D20121109），2012.1-2014.12

6. 主持冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放课题项目：ZnS薄膜热硫化制备与物理性质（C201022），2010.1-2011.12

主要论文

1. 不同硫压退火对溅射沉积ZnS薄膜性能的影响. 物理学报, 2023, 72(3):034207（通讯作者）

2. 硫化时间对两步硫化法制备ZnS薄膜性能的影响. 6163银河线路检测中心学报, 2022, 45(2): 93-98（通讯作者）

3. Investigation on structural and optical properties of ZnSe thin films prepared by selenization. Superlattices and Microstructures, 2021, 156:106965（通讯作者）

4. Effect of film thickness on structural and optical properties of ZnS: Cu films prepared by vulcanization. Superlattices and Microstructures, 2020, 146:106671（通讯作者）

5. 不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能. 电子元件与材料, 2020, 39(3): 33-38（通讯作者）

6. Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响. 电子元件与材料, 2020, 39(5):43-48（通讯作者）

7. 低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究. 原子核物理评论, 2020, 37(3):804-808（通讯作者）

8. Influence of low-temperature sulfidation on the structure of ZnS thin films. Chinese Physics B, 2019, 28(2):024214（通讯作者）

9. Effect of low temperature vulcanization time on the structure and optical properties of ZnS thin films. Applied Surface Science, 2019, 498:143876（通讯作者）

10. 硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响. 原子核物理评论, 2017, 34(3):651-655（通讯作者）

11. 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究. 6163银河线路检测中心学报, 2016, 39(5):343-347（通讯作者）

12. 退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响. 人工晶体学报, 2013, 42(6):1154-1158（第一作者）

13. 硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究. 电子元件与材料, 2013, 32(5):23-25（第一作者）

14. Growth and properties of ZnS thin films by sulfidation of sputter deposited Zn. Vacuum, 2012, 86:1210-1214（第一作者）

15. ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性. 人工晶体学报, 2012, 41(6):1700-1704（第一作者）

16. Influence of RF power on the structure of ZnS thin films grown by sulfurizing RF sputter deposited ZnO. Materials Chemistry and Physics, 2008, 112:557-561（第一作者）

17. Sulfidation growth and characterization of nanocrystalline ZnS thin films. Vacuum, 2008, 82: 1208-1211（第一作者）

主要获奖情况

2007、2012、2013、2021年校级优秀本科毕业论文指导教师